KAIST-포스텍, 다층 금속 상호연결 신기술 개발
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KAIST-포스텍, 다층 금속 상호연결 신기술 개발
유기 반도체 집적회로 형성하는데 적용할 수 있는 공정
  • 여용준 기자
  • 승인 2019.06.11 16:13
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수직 집적된 디지털 회로 공정 모식도 및 이미지(위), 제안된 금속 상호연결 기술 모식도. [사진=KAIST]

[이뉴스투데이 여용준 기자] 임성갑 KAIST 생명화학공학과 교수와 김재준 POSTECH 창의IT융합공학과 교수 공동 연구팀이 비아홀(via-hole, vertical interconnect access hole) 공정 없이도 금속을 다중으로 상호 연결할 수 있는 기술을 개발했다. 또 이를 통해 5층 이상의 3차원 고성능 유기 집적회로를 구현했다.

11일 KAIST에 따르면 이번 기술은 금속의 수직 상호 연결을 위해 공간을 뚫는 작업인 비아홀 공정 대신 패턴화 된 절연막을 직접 쌓는 방식으로, 유기 반도체 집적회로를 형성하는데 적용할 수 있는 공정이다.

유호천 박사와 박홍근 박사과정 학생이 공동 1 저자로 참여한 이번 연구 결과는 국제적인 학술지인 네이처 커뮤니케이션 3일 자 온라인판에 게재됐다.

유기 트랜지스터는 구부리거나 접어도 그 특성을 그대로 유지할 수 있는 장점 덕분에 플렉시블 디스플레이 및 웨어러블 센서 등 다양한 분야에 적용할 수 있다. 

그러나 이러한 유기물 반도체는 화학적 용매, 플라즈마, 고온 등에 의해 쉽게 손상되는 문제점 때문에 일반적인 식각 공정을 적용할 수 없어 유기 트랜지스터 기반 집적회로 구현의 걸림돌로 여겨졌다.

공동 연구팀은 유기물 반도체의 손상 없이 안정적인 금속 전극 접속을 위해 절연막에 비아홀을 뚫는 기존 방식에서 벗어나 패턴된 절연막을 직접 쌓는 방식을 택했다. 패턴된 절연막은 패턴 구조에 따라 반도체소자를 선택적으로 연결할 수 있도록 했다.

특히 연구팀은 ‘개시제를 이용한 화학 기상 증착법(iCVD)’을 통해 얇고 균일한 절연막 패턴을 활용해 안정적인 트랜지스터 및 집적회로를 구현하는 데 성공했다.

공동 연구팀은 긴밀한 협력을 통해 개발한 금속 상호 연결 방법이 유기물 손상 없이 100%에 가까운 소자 수율로 유기 트랜지스터를 제작할 수 있음을 확인했다. 제작된 트랜지스터는 탁월한 소자 신뢰성 및 균일성을 보여 유기 집적회로 제작에 큰 역할을 했다.

연구팀은 수직적으로 분포된 트랜지스터들을 상호 연결해 인버터, 낸드, 노어 등 다양한 디지털 논리 회로를 구현하는 데 성공했다. 또 효과적인 금속 상호 연결을 위한 레이아웃 디자인 규칙을 제안했다. 

김재준 교수는 “패턴된 절연막을 이용하는 발상의 전환이 유기 집적회로로 가기 위한 핵심 기술의 원천이 됐다”라며 “앞으로 유기 반도체뿐 아니라 다양한 반도체 집적회로 구현의 핵심적인 역할을 할 것으로 기대한다”라고 말했다.

본 연구는 과학기술정보통신부, 한국연구재단과 삼성전자 미래기술육성센터의 지원을 받아 수행됐다.


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