본격 양산에 들어간 HVM3E-02. [사진=SK하이닉스]
본격 양산에 들어간 HVM3E-02. [사진=SK하이닉스]

[이뉴스투데이 고선호 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 HBM(High Bandwidth Memory) 5세대 HBM3E의 양산에 들어가 이달 말부터 본격 공급에 나선다.

SK하이닉스는 19일 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3 공급 일정과 관련해 이같이 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 메모리 제품으로, HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전이자 5세대에 해당한다.

SK하이닉스 측은 “HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 설명했다.

엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 이에 SK하이닉스는 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들의 HBM3E의 수요가 확대될 것으로 기대하고 있다.

HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖춘 것으로 알려졌다. 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초만에 처리하는 수준이다.

AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. SK하이닉스는 이를 위해 신제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다.

SK하이닉스 HBM비즈니스 담당 류성수 부사장은 “세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 ‘토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.

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