삼성전자, 세계 최초 GAA 적용 3나노 양산…“파운드리 도약 초석”

[이뉴스투데이 전한울 기자] 삼성전자가 25일 세계 최초로 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술에 기반한 3나노 파운드리 제품 양산에 성공했다. 

삼성전자는 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 3나노 양산 목표를 달성했다. 파운드리 분야에서 ‘제2의 메모리반도체’ 신화를 쓰기 위한 초석을 마련했다는 평이다.

특히 기존 반도체 기술을 혁신적으로 개선한 GAA 구조를 활용하고 점에서 기술적 의의가 높다.

국내 소부장 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발해 국내 반도체 산업계의 공동 성과로도 평가된다.

삼성전자는 이날 경기도 화성캠퍼스 ‘V1라인(EUV 전용)’에서 ‘3나노 파운드리 제품 출하식’을 개최했다.

이날 행사는 이창양 산업통상자원부 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사와 임직원 등 100여 명이 참석했다. 

삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’라는 자신감과 함께, 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.

삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.

이어 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 임직원들을 격려하면서 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.

이창양 산업통상자원부 장관은 앞으로 3나노 공정이 높은 수율을 확보 안정적으로 안착하기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아줄 것을 당부했다.

이 장관은 “정부도 지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간투자 지원과 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 말했다.

그러면서 “3나노 파운드리 시장을 안정적으로 확보하기 위해선 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요한만큼, 반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이, 배터리, 미래 모빌리티, 로봇, 바이오 등 ‘반도체 플러스 산업’에 대한 경쟁력 강화방안을 순차적으로 수립해 적극 이행하겠다”고 강조했다.

한편 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.