1일 삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발했다고 밝혔다.
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삼성전자는 50나노급 공정을 개발한 후 40나노급 공정을 개발하기까지 2년 이상 시간이 걸렸는데 비해, 30나노급 공정을 1년 만에 개발해 냈다.
삼성전자는 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순 평가 완료하고 올해 하반기부터 본격적으로 양산에 들어갈 예정이다.
30나노급 D램은 지난해 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.
또, 30나노급 D램은 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.
삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품으로, 고객들과의 윈윈 관계를 더욱 강화시키는데 크게 기여할 것이다. 이를 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.
panic82@enewstoday.co.kr
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